台积电推迟了High-NA EUV的启动，宣布A13工艺，并分享了十年末的计划

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TSMC新闻摘要

TSMC计划的新动向

1. 放弃High‑NA EUV至2029年
- 公司宣布未来几年不使用高数值孔径EUV光刻设备。这使TSMC相较于三星和英特尔更具优势。

2. 技术工艺逐步发展
- 2028年推出A14，2029年推出两款衍生版本：A13（通过光学压缩减小尺寸）与A12（进一步缩小）。
- N2、N2P、N2U、A14和A13面向移动芯片，成本是关键。
- A16和A12针对高性能计算和AI加速器，重点是性能。

3. 第二代GAA晶体管
- 计划在A14引入环栅结构（GAA），随后在A13和A12继续使用。硅片背面供电仅用于A12与A16。

4. 特殊工艺N2U
- 在N2系列生命周期的第三年，TSMC将推出N2U，可提升3–4%速度或降低8–10%功耗，同时增加2–3%的晶体管密度。
- 与现有工具兼容，使开发者可无大成本从N2迁移至N2U。计划于2028年投产。

5. 时间表与更新
- A16将在2027年实现（比原先计划晚）。
- 预计A16技术的量产产品将于本年度末出现，但大规模生产会更晚开始。

结论
TSMC展示了从移动芯片到高性能计算的渐进式、目标明确的发展策略。公司有意识地在未来几年放弃High‑NA EUV，专注于更经济、更灵活的技术，以快速适应不同市场细分需求。