日本制造了1纳米半导体纳米管，几乎就像晶体管通道一样准备好。

关于用 MoS₂ 制造超薄半导体纳米管的新闻

*简要：*

日本科学家成功生长了直径约 1 nm 的单层钼二硫化物（MoS₂）纳米管，比人类头发细一百千倍。这是首次从无机半导体而非碳材料获得此类结构，它们已可作为未来全围栅（gate‑all‑around）晶体管的“通道”。

具体做了什么？
1. 在“帽子”中生长

- 采用硼氮化物（BN）纳米管作为“模具”。

- BN 同时充当绝缘层和容器，MoS₂ 在其内部生长。

2. 合成过程

- 在 BN “帽子”内经过一系列退火后形成几乎完美的单层 MoS₂ 纳米管。

- 生成结构直径约 1 nm，并被 BN 绝缘层包围——实际上是已完成的晶体管通道。

3. 潜在应用

- 这些纳米管可成为全围栅晶体管的基础，当前正由领先芯片制造商积极研发。

为什么重要？
| 类型 | 直径（≈） |
|------|-----------|
| 多层碳纳米管 | 10 nm |
| 单层碳纳米管 | 5 nm |
| MoS₂ 纳米管 | 1 nm |

- 超薄：MoS₂ 纳米管比头发细一百千倍，是最小的半导体结构之一。

- 新机遇：研究人员表示该方法可应用于其他半导体甚至超导材料，扩展技术范围至碳纳米管和石墨烯之外。

接下来？
*短期目标：*

将纳米管长度从约 1 nm 增长到 1 µm——增长一千倍。这将使其在需要更长晶体管通道的实际设备中得到应用。

结论：

制造直径为 1 nm 的 MoS₂ 纳米管开启了半导体元件微型化的新路径，可能成为未来高性能芯片的关键组件。