英特尔已开始研发超薄的10A和7A工艺，首批14埃微芯片将于十月进行测试。

英特尔——通往10纳米和7纳米工艺的道路

上周，英特尔首席执行官李柏谭确认，公司已在研发10 nm（10A）和7 nm（7A）的新制造技术。这些工艺将取代当前的18 nm节点以及未来一代14 nm，在接下来的十年内实现。计划使用此前仅用于14 nm工艺的高数值孔径（High‑NA）ASML EUV光刻机。

> “我现在开始制定10A、7A的路线图，”谭在摩根大通全球技术大会上说。“人们不仅仅是来找你，他们在寻找未来计划。因此我们正在构建长期业务。”

谭强调，雄心勃勃的发展规划与竞争力产品同等重要。许多公司倾向于签订多年合作协议，因此英特尔有责任让合作伙伴了解其长期计划，即使技术商业化仍遥远。

14 nm工艺的当前状态
* PDK 0.5 已可用。
* PDK 0.9（谭称之为“圣杯”）预计于十月发布。
* 英特尔有数位使用14A的客户；公司正在澄清产品和产能需求，但未透露其身份。

14A 的生产计划在2028年启动，芯片量产则在2029年。这大致与 TSMC 开始 A14 技术的大规模制造时间相吻合。虽然 A14 并非 14A 的直接竞争对手（因为后者更适用于高性能数据中心），TSMC 将于 2028 年底启动 A14 大规模生产，英特尔需要时间将试产转为稳定的优质产出。

High‑NA EUV 的实施
引入新的 High‑NA EUV 工具以及一系列其他创新是一项复杂任务。因此，英特尔正与 ASML 及其他合作伙伴密切合作，以确保新生态系统完全就绪。ASML 的 Christophe Fouquet 宣布将在未来数月内启动首批 High‑NA EUV 测试芯片。

由此可见，英特尔目前已在为未来处理器世代奠定基础，将长期规划与对最新光刻技术的积极研发相结合。