英特尔与软银合作，计划在2029年前推出HBM内存的替代方案

软银和英特尔计划在2029年前推出新型内存Z‑Angle Memory（ZAM）

实现方式与责任方
软银通过其子公司Saimemory负责研发与销售，英特尔提供制造与封装技术。日本富士通也参与该项目。

为何需要Z‑Angle Memory
* 现有HBM的问题：
- 极高成本且耗能大。
- 随着生产规模扩大，传统DRAM面临资源短缺。

* Z‑AM的目标是提供更经济、节能的替代方案，同时保持高数据密度。

技术特点
| 参数 | 描述 |
|------|------|
| 结构 | 类似HBM的多层芯片堆叠，但采用更先进的封装与架构。 |
| 密度 | 堆叠单元容量比HBM高2‑3倍。 |
| 能耗 | 与HBM相比约减半。 |
| 成本 | 预计保持现价或降低至40%。 |

封装技术
* 英特尔提供NGDB（Next‑Generation Die Bonding）技术，提升ZAM的能效。
* 原型已实现八层DRAM叠加在基底晶圆上。

上市计划
1. 中期原型 – 2028年3月底前展示。
2. 大规模生产 – 在演示后12个月内启动，约2029年中期完成。

因此，软银与英特尔旨在快速扩大Z‑Angle Memory的产量，为未来高性能系统提供更实惠、更节能的存储方案。