比利时人发现了一种在简单条件下提高EUV扫描仪工作速度的方法

新方法加速微芯片制造中的图案转移

在芯片制造中，最关键的步骤是将掩模上的图案转移到硅晶圆的光敏层上。该过程需要在质量与速度之间取得平衡，而传统的加速手段——提高曝光功率或提升光刻胶灵敏度——都存在问题。

比利时Imec实验室提出了一种迄今为止未被工业采用的意外解决方案。

标准流程如何进行
1. 曝光
晶圆通过EUV曝光机扫描。

2. 烘烤与后曝光处理
曝光后，晶圆放入盒子中，在常规条件下完成烘烤和随后的处理：无尘室、标准大气压、约21 %氧（海平面水平）。

新实验方案
Imec 建造了一个密闭盒，并配备了用于监测气体成分与材料参数的传感器。这使得能够在不同气体混合物下进行烘烤和后曝光处理，并在每个阶段获取光刻胶的数据。

关键发现
- 在处理过程中将氧浓度提高到50 %可将光刻胶的光敏性提升约15–20 %。

- 这意味着可以用更低的EUV剂量实现所需结构尺寸——要么更快地转移图案，要么在不牺牲线条质量的前提下降低能耗。

为何有效
氧气增加刺激了曝光区域金属氧化物光刻胶（MOR）的化学反应。这些材料已被视为低数值孔径和高数值孔径EUV投影的有前景候选者。因此，简单改变气体环境即可提升现代EUV扫描仪的性能。

实际意义
- 在不改造扫描仪本身的情况下提高效率。

- 需要引入新的晶圆处理条件及相关成本。

- 制造商可能感兴趣，但尚不清楚他们会多快采纳这一“生活技巧”。

综上所述，Imec 展示了在烘烤过程中改变气体环境可以成为加速先进微芯片生产的有效工具。