三星正在研发HBM5，甚至可以使用2纳米晶体。

Nvidia 与三星在 HBM 内存发展中的新举措

本月，Nvidia 高层对三星电子的 HBM4 内存质量表示信任：Nvidia 创始人黄仁勋（Jensen Huang）亲自指出，在展示板上的 HBM4 芯片上，“内存非常出色”。与此同时，三星已在研发下一代——HBM5 与 HBM5E。

Business Korea 报道
* 三星的 HBM5

* 基础晶圆（内存堆叠）将采用 2 nm 工艺制造。

* 堆叠中的 DRAM 晶体使用第六代 10 nm 技术，标记为“1c”。

* 三星的 HBM5E

* 基础同样是 2 nm 晶圆。

* DRAM 部分将采用更新版本的 10 nm 工艺——“1d”。

因此，三星结合了最先进与已验证的技术，以降低 HBM 制造风险。

与 Nvidia 的合作
* Groq 3 —— 专用处理器，将由三星在合同工厂使用 4 nm 技术生产。

* 三星部门负责人韩振满（Han Jin-man）强调：“4 nm 不可被视为中等水平”。

* Nvidia 长期以来已与三星合作开发 LPU 芯片（2023 年），并选择其 4 nm 工艺用于 Groq 3。

* 批量生产计划在本年度第三季度末至第四季度初，预计从明年起将出现大规模需求。

GTC 2026 活动
在加州 GTC 2026 大会上，Nvidia 宣布合作并展示了 HBM4、HBM5 与 Groq 3 芯片。

* 黄仁勋在 Groq 3 展板上签名，并称其为“超高速”。

* 同届展会也有三星与 SK hynix 的代表出席，进一步确认韩国供应商对 Nvidia 重要性。

关键结论

1. 可靠伙伴——三星成功研发 HBM4，现在已推出采用 2 nm 基础晶圆和成熟 10 nm DRAM 工艺的 HBM5/EBM5。

2. 技术突破——转向 2 nm 提升性能并降低制造过程中的错误风险。

3. 兼容保证——与 Nvidia（Groq）的现有合作证明三星能够按需标准交付芯片。

综上，Nvidia 将三星视为高性能内存和专用处理器进一步发展的可靠伙伴。