台积电将走Intel之路：已购入高端EUV光刻机，但尚未计划大规模使用它们生产芯片

TSMC – 对高NA EUV持怀疑态度，但正在实验

英特尔公司积极宣传从ASML购买高孔径（High‑NA）EUV扫描仪，然而台湾巨头台积电对其大规模应用仍保持谨慎。尽管如此，该公司正使用该设备进行测试。

在年度股东大会上，台积电董事长蔡思伟（C.C. Wei）就此情况发表了看法。即使像三星和SK海力士等内存市场领导者已经开始向ASML订购High‑NA扫描仪，但台积电目前仍未看到广泛使用的必要性。

> “我们拥有几套High‑NA EUV系统，但它们仅用于研究目的。在可预见的未来，我们不计划将其投入大规模生产，”蔡思伟表示。

> “只要成本降低并且我们能够充分利用其优势，就会引入该设备，”他补充道。

其中一套系统价格接近4亿美元。

未来无High‑NA的规划

台积电计划在2029年前掌握先进工艺，而不使用High‑NA EUV。根据公开数据，到那时公司将实施A13和A12技术，光刻标准将逼近1纳米。对于这些工艺的大规模芯片生产，不需要High‑NA设备。

相反，英特尔可能会在14A工艺（若于2027年实现）中开始使用High‑NA。18A时，公司曾进行实验室试验，但未进入大规模生产。据蔡思伟称，目前来自英特尔和三星的竞争对台积电并不构成威胁。

人口因素

在同一次会议上，蔡思伟提到了台湾的人口状况。他指出，根据当前出生率，未来台积电将面临工程师和技术人员短缺。公司内部的出生率是岛内平均水平的五倍，但人才短缺仍会随着时间加剧。

蔡思伟并未预测芯片需求增长放缓，即使今年资本支出约为5600万美元，并在峰值时上升。他认为，芯片市场将继续增长，公司也会做好准备。