科爱西亚找到了绕过竞争对手的方法，避免了NAND层数的增加

塞浦路斯记忆 3D‑NAND：Kioxia 如何追赶行业领袖

*多层存储技术首次由东芝在2007年提出，迄今为止仍未给日本制造商带来竞争优势。为了弥补层数不足，公司正在研发自己的硅片连接技术——CBA（Chip‑Bonded Array）。*

什么是 CBA 以及它的用途
- 传统方法

在经典 NAND 芯片中，控制逻辑与存储单元放置在同一基板上。这限制了密度：层数越多，成本和制造复杂性就越高。

- Kioxia 的新思路

利用 CBA，将控制板从存储单元板分离，然后在微观接触点处将其连接。这样可以“粘贴”多层存储到同一控制板上，而不增加单个基板上的层数。

- 优势

- 在不增加层数的情况下提升容量。
- 允许更灵活的芯片架构。
- 降低高密度制造成本。

市场现状数据
| 参数 | Kioxia（3D‑NAND） | 竞争对手 |
|---|---|---|
| 层数 | ~218 | >300，目标400 |
| 读写速度 | +20–30 % 与同类产品相比 | — |

Kioxia 已在其“旗舰”产品中采用 CBA。然而，公司仍位居固态存储市场第三名，落后于韩国巨头（三星、SK 海力士）。Kioxia 在盈利且快速增长的服务器市场中的份额仍然薄弱。

这对未来意味着什么
- 成长潜力

如果 CBA 技术确实能在不大幅提高成本的前提下实现更高密度，Kioxia 可能会改变 NAND 存储市场的力量平衡。

- 关键因素——连接精度

大规模生产需要极高的板定位精度。分析师表示，在这方面 Kioxia 已领先竞争对手。

结论
Kioxia 正在通过创新 CBA 技术来弥补层数不足，承诺提升 NAND 芯片容量和速度。虽然目前成果尚未彻底颠覆市场，但新方案可能成为争夺固态存储领导地位的决定性因素。