三星停止生产二维NAND并将工厂转为制造HBM4。

三星停止生产2-D NAND闪存并将工厂转向HBM4

今年，三星宣布完全放弃生产2-D NAND闪存。剩余的产线将被重新用于制造HBM4内存，而HBM4目前因人工智能的快速增长而需求巨大。

华松工厂正在发生什么
根据《The Elec Korea》的报道，三星计划关闭其位于华松的2-D NAND生产线。公司不会完全停用该产线，而是将其改造用于DRAM金属化——在芯片内部存储单元之间铺设线路的过程。

- 产能为12：每月可处理80,000至100,000块12英寸晶圆。

- 这些晶圆以前仅用于2-D NAND闪存，但随着3-D NAND的出现，该技术已过时。

现在，这条线将生产第六代（10nm）DRAM，用于HBM4。三星预测，包含平田第三、四号产线在内的月度DRAM总产能，到下半年末将达到约200,000块晶圆。

为什么2-D NAND被淘汰
2-D NAND存储器首次出现在1990年代末。近年来，制造商逐步放弃它，转向更先进的3-D NAND技术。3-D NAND具有显著优势：更高容量、更好可靠性以及明显提升的速度。

根据三星计划，2-D NAND的最终停产时间定在三月。之后，该工厂将完全转向生产更现代化的解决方案——包括HBM4，这些产品在高性能计算系统和人工智能应用中需求旺盛。