SK hynix 正在研发 16GB 的 LPDDR6 芯片，带宽为 10.7Gbps，用于下一代旗舰设备。

SK hynix展示了首款16Gbps LPDDR6（1c）在10nm“1c”技术工艺上的产品

短时记忆 16Gbps LPDDR6（1c）——行业内第一款基于10nm第六代工艺的产品。演示日期：CES 2026，公司首次展示了成品芯片并完成首批工业验证。目标受众：支持“AI‑on‑device”（设备端人工智能处理）的手机和平板。

技术关键指标
指标 | 数值 | 对比
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传输速率 | >10.7 Gbps（基准） | 比LPDDR5X提升33%
能效 | 20%更佳 | 通过子通道结构和DVFS实现

- 子通道允许仅激活所需的数据传输线路，节省能源。
- DVFS（动态电压与频率缩放）根据负载动态调节电压和频率。

对用户体验的影响
负载 | 内存行为 | 说明
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高（游戏、AI应用） | 提升带宽，提升性能 |
低（文本、社交网络） | 降低频率与电压，省电 |

预计将改善移动设备的续航和多任务处理能力。

上市计划
- 量产准备：2026年上半年。
- 首批交付：2026年下半年。

SK hynix表示，新LPDDR6将扩展面向人工智能的移动设备DRAM产品线，支持手机和平板中AI计算日益增长的趋势。